삼성전자가 세계 최초로 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 파운드리 공정 기반 초도양산을 시작했다고 30일 밝혔다.

3㎚ 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다.

삼성전자는 3㎚ 공정에 게이트올어라운드(GAA) 기술을 세계 최초로 적용했다. GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다.

삼성전자에 따르면 3㎚ GAA 1세대 공정은 기존 5㎚ 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16% 축소 장점을 가진다. 이어 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소가 가능하다. 이 때문에 3㎚ 공정을 활용한 제품은 5㎚나 7㎚ 공정을 활용한 제품보다 크기는 작으면서도 성능은 훨씬 뛰어나다.

이번 양산 선언으로 삼성전자는 GAA 기반 3㎚ 반도체를 상반기 내에 양산하겠다고 공언한 기존 약속을 지켰다. 이는 각각 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운 TSMC·인텔보다 한참 빠른 일정이다. 현재 파운드리 업계에서 7㎚ 이하 초미세 제조공정을 갖고 있는 곳은 삼성전자와 TSMC 뿐이다.

삼성전자는 3㎚ 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 초도 생산한데 이어, 모바일 시스템온칩(SoC) 등으로 확대해 나갈 예정이다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 "삼성전자는 파운드리 업계 최초로 '하이-케이 메탈 게이트', 핀펫, 극자외선(EUV) 등 신기술을 앞서 도입해 빠르게 성장해 왔다"며 "앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나갈 것"이라고 밝혔다.

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고성수 기자 ssgo@naeil.com

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